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  Incipient chemical bond formation of Xe to a cationic silicon cluster: Vibrational spectroscopy and structure of the Si4Xe+ complex

Savoca, M., Langer, J., Harding, D. J., Dopfer, O., & Fielicke, A. (2013). Incipient chemical bond formation of Xe to a cationic silicon cluster: Vibrational spectroscopy and structure of the Si4Xe+ complex. Chemical Physics Letters, 557, 49-52. doi:10.1016/j.cplett.2012.12.020.

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Basisdaten

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Genre: Zeitschriftenartikel

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:
Si4Xe_CPL.pdf (beliebiger Volltext), 244KB
Name:
Si4Xe_CPL.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Öffentlich
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf / [MD5]
Technische Metadaten:
Copyright Datum:
2013
Copyright Info:
North-Holland
Lizenz:
-
:
1639155 CTA.pdf (Verlagsvertrag), 113KB
 
Datei-Permalink:
-
Name:
1639155 CTA.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Privat
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf
Technische Metadaten:
Copyright Datum:
-
Copyright Info:
-
Lizenz:
-
:
1639155.pdf (Korrespondenz), 72KB
 
Datei-Permalink:
-
Name:
1639155.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Privat
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf
Technische Metadaten:
Copyright Datum:
-
Copyright Info:
-
Lizenz:
-

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Savoca, Marco1, Autor
Langer, Judith1, Autor
Harding, Daniel J.2, Autor           
Dopfer, Otto1, Autor
Fielicke, André2, Autor           
Affiliations:
1Institut für Optik und Atomare Physik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin, Germany, ou_persistent22              
2Molecular Physics, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634545              

Inhalt

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Schlagwörter: -
 Zusammenfassung: The size-selective vibrational spectrum of Si4Xe+ in the 240–500 cm-1 range has been recorded using infrared (IR) multiple photon dissociation spectroscopy. Comparison to linear IR absorption spectra of Si4+ and Si4Xe+ calculated using density functional theory including dispersion corrections reveals an important influence of the Xe ligand on the structure of the cluster, involving significant charge transfer and formation of an incipient chemical Si–Xe bond with De = 0.3 eV.

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2012-11-202012-12-092012-12-192013-02-05
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: 4
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: DOI: 10.1016/j.cplett.2012.12.020
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Chemical Physics Letters
  Andere : Chem. Phys. Lett.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Amsterdam : North-Holland
Seiten: - Band / Heft: 557 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 49 - 52 Identifikator: ISSN: 0009-2614
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925389241