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  Step-shaped bismuth nanowires with metal–semiconductor junction characteristics

Tian, Y. T., Meng, G. W., Wang, G. Z., Phillipp, F., Sun, S. H., & Zhang, L. D. (2006). Step-shaped bismuth nanowires with metal–semiconductor junction characteristics. Nanotechnology, 17, 1041-1045.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-4884-A Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-4885-8
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Tian, Y. T.1, Autor
Meng, G. W.1, Autor
Wang, G. Z.1, Autor
Phillipp, F.2, Autor           
Sun, S. H.1, Autor
Zhang, L. D.1, Autor
Affiliations:
1Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, Anhui 230031, People’s Republic of China, ou_persistent22              
2Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, DE, ou_1497669              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Emeriti and Others; Stuttgart Center for Electron Microscopy (StEM);
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2006
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 318177
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Nanotechnology
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 17 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 1041 - 1045 Identifikator: -