Controlled enhancement of the electron field-effect mobility of F16CuPc 
thin-film transistors by use of functionalized SiO2 substrates

de Oteyza, D.; Barrena, E.; Osso, J.O.; Dosch, H.; Meyer, S.; Pflaum, J.

Controlled enhancement of the electron field-effect mobility of F₁₆CuPc thin-film transistors by use of functionalized SiO₂ substrates

de Oteyza, D., Barrena, E., Osso, J., Dosch, H., Meyer, S., & Pflaum, J. (2006). Controlled enhancement of the electron field-effect mobility of F₁₆CuPc thin-film transistors by use of functionalized SiO₂ substrates. Applied Physics Letter, 87:.

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資料種別: 学術論文

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de Oteyza, D.¹, 著者
Barrena, E.¹, 著者
Osso, J.O.², 著者
Dosch, H.^{1, 3}, 著者
Meyer, S.², 著者
Pflaum, J.², 著者

所属:
1Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497645
2Institut de Ciènca de Materials de Barcelona, CSIC, E-08190 Bellaterra, Spain; Institut für Theoretische und Angewandte Physik, Universität Stuttgart, D-70550 Stuttgart, Germany, III. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, D-70550 Stuttgart, Germany, ou_persistent22
3Universität Stuttgart, Institut für Theoretische und Angewandte Physik, ou_persistent22

内容説明

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キーワード: MPI für Metallforschung; Abt. Dosch;

要旨: -

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言語: eng - English

日付: 出版: 2006-10-26

出版の状態: 出版

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目次: -

査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 265943

学位: -

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出版物名: Applied Physics Letter

種別: 学術雑誌

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出版社, 出版地: -

ページ: - 巻号: 87 通巻号: 183504 開始・終了ページ: - 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: -

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