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  Transition from layer-by-layer to rapid roughening in the growth of DIP on SiO2

Zhang, X.., Barrena, E., de Oteyza, D. G., & Dosch, H. (2007). Transition from layer-by-layer to rapid roughening in the growth of DIP on SiO2. Surface Science, 601, 2420-2425.

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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Zhang, X .N.1, Autor           
Barrena, E.1, Autor           
de Oteyza, D. G.1, Autor           
Dosch, H.1, 2, Autor           
Affiliations:
1Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497645              
2Universität Stuttgart, Institut für Theoretische und Angewandte Physik, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Dosch;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2007-04-19
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 317290
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Surface Science
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 601 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 2420 - 2425 Identifikator: -