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  A nondamaging electron microscopy approach to map In distribution in InGaN light-emitting diodes

Özdöl, V. B., Koch, C. T., & van Aken, P. A. (2010). A nondamaging electron microscopy approach to map In distribution in InGaN light-emitting diodes. Journal of Applied Physics, 108(5): 056103. doi:10.1063/1.3476285.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3C39-4 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3C3A-2
Genre: Zeitschriftenartikel
Alternativer Titel : JAP

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Özdöl, V. B.1, Autor           
Koch, C. T.1, 2, Autor           
van Aken, P. A.1, Autor           
Affiliations:
1Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497669              
2Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Intelligente Systeme; Stuttgart Center for Electron Microscopy (StEM);
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2010
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 508131
DOI: 10.1063/1.3476285
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Applied Physics
  Alternativer Titel : JAP
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 108 (5) Artikelnummer: 056103 Start- / Endseite: - Identifikator: -