An efficient, simple, and precise way to map strain with nanometer resolution 
in semiconductor devices

Koch, C. T.; Özdöl, V. B.; van Aken, P. A.

doi:10.1063/1.3337090

An efficient, simple, and precise way to map strain with nanometer resolution in semiconductor devices

Koch, C. T., Özdöl, V. B., & van Aken, P. A. (2010). An efficient, simple, and precise way to map strain with nanometer resolution in semiconductor devices. Applied Physics Letters, 96:. doi:10.1063/1.3337090.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3B6C-9 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3B6D-7

資料種別: 学術論文

その他のタイトル : APL

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Koch, C. T.^{1, 2}, 著者
Özdöl, V. B.², 著者
van Aken, P. A.², 著者

所属:
1Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657
2Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497669

内容説明

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キーワード: MPI für Metallforschung; Stuttgart Center for Electron Microscopy (StEM);

要旨: -

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言語: eng - English

日付: 出版: 2010

出版の状態: 出版

ページ: 3 pages

出版情報: -

目次: -

査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 460305
DOI: 10.1063/1.3337090

学位: -

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出版物名: Applied Physics Letters

出版物の別名 : APL

種別: 学術雑誌

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出版社, 出版地: -

ページ: - 巻号: 96 通巻号: 091901 開始・終了ページ: - 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: -

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