Reduced critical thickness and photoluminescence line splitting in multiple 
layers of self-assembled Ge/Si islands

Schmidt, O. G.; Eberl, K.; Kienzle, O.; Ernst, F.; Christiansen, S.; Strunk, H. P.

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Reduced critical thickness and photoluminescence line splitting in multiple layers of self-assembled Ge/Si islands

Schmidt, O. G., Eberl, K., Kienzle, O., Ernst, F., Christiansen, S., & Strunk, H. P. (2000). Reduced critical thickness and photoluminescence line splitting in multiple layers of self-assembled Ge/Si islands. Materials Science and Engineering B, 74, 248-252.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-37F2-A 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-37F3-8

資料種別: 学術論文

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Schmidt, O. G., 著者
Eberl, K., 著者
Kienzle, O.¹, 著者
Ernst, F.¹, 著者
Christiansen, S., 著者
Strunk, H. P., 著者

所属:
1Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657

内容説明

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キーワード: MPI für Metallforschung; Abt. Rühle;

要旨: -

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言語: eng - English

日付: 出版: 2000

出版の状態: 出版

ページ: -

出版情報: -

目次: -

査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 198720

学位: -

訴訟

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出版物 1

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出版物名: Materials Science and Engineering B

種別: 学術雑誌

著者・編者:

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出版社, 出版地: -

ページ: - 巻号: 74 通巻号: - 開始・終了ページ: 248 - 252 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: -

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