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  Reduced critical thickness and photoluminescence line splitting in multiple layers of self-assembled Ge/Si islands

Schmidt, O. G., Eberl, K., Kienzle, O., Ernst, F., Christiansen, S., & Strunk, H. P. (2000). Reduced critical thickness and photoluminescence line splitting in multiple layers of self-assembled Ge/Si islands. Materials Science and Engineering B, 74, 248-252.

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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Schmidt, O. G., Autor
Eberl, K., Autor
Kienzle, O.1, Autor           
Ernst, F.1, Autor           
Christiansen, S., Autor
Strunk, H. P., Autor
Affiliations:
1Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Rühle;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2000
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 198720
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Materials Science and Engineering B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
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Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 74 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 248 - 252 Identifikator: -