Relaxed SiGe buffer-layer growth with point defect injection

Lyutovich, K.; Kasper, E.; Ernst, F.; Bauer, M.; Oehme, M.

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Relaxed SiGe buffer-layer growth with point defect injection

Lyutovich, K., Kasper, E., Ernst, F., Bauer, M., & Oehme, M. (2000). Relaxed SiGe buffer-layer growth with point defect injection. Materials Science and Engineering B, 71, 14-19.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-37DB-F 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-37DC-D

資料種別: 学術論文

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Lyutovich, K., 著者
Kasper, E., 著者
Ernst, F.¹, 著者
Bauer, M., 著者
Oehme, M., 著者

所属:
1Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657

内容説明

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キーワード: MPI für Metallforschung; Ehemalige Abt. Rühle;

要旨: -

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言語: eng - English

日付: 出版: 2000

出版の状態: 出版

ページ: -

出版情報: -

目次: -

査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 198706

学位: -

訴訟

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出版物 1

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出版物名: Materials Science and Engineering B

種別: 学術雑誌

著者・編者:

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出版社, 出版地: -

ページ: - 巻号: 71 通巻号: - 開始・終了ページ: 14 - 19 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: -

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