Characterization of GaN grown on sapphire by laser-induced molecular beam 
epitaxy

Zhou, H.; Rühm, A.; Jin-Phillipp, N. Y.; Phillipp, F.; Gross, M.; Schröder, H.

Characterization of GaN grown on sapphire by laser-induced molecular beam epitaxy

Zhou, H., Rühm, A., Jin-Phillipp, N. Y., Phillipp, F., Gross, M., & Schröder, H. (2001). Characterization of GaN grown on sapphire by laser-induced molecular beam epitaxy. Journal of Materials Research, 16(1), 261-267.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-35B1-E 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-35B3-A

資料種別: 学術論文

その他のタイトル : J. Mater. Res.

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Zhou, H.¹, 著者
Rühm, A.², 著者
Jin-Phillipp, N. Y.³, 著者
Phillipp, F.³, 著者
Gross, M.¹, 著者
Schröder, H.², 著者

所属:
1Inst Tech Phys, D-70569 Stuttgart, Germany, ou_persistent22
2Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497645
3Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657

内容説明

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キーワード: MPI für Metallforschung; Ehemalige Abt. Rühle; ZWE Hochspannungs-Mikroskopie;

要旨: -

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言語: eng - English

日付: 出版: 2001-01

出版の状態: 出版

ページ: -

出版情報: -

目次: -

査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 24403
ISI: 000166281200039

学位: -

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出版物名: Journal of Materials Research

出版物の別名 : J. Mater. Res.

種別: 学術雑誌

著者・編者:

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出版社, 出版地: -

ページ: - 巻号: 16 (1) 通巻号: - 開始・終了ページ: 261 - 267 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 0884-2914

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