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  Interdiffusion at Ge/Si interfaces studied with AES depth profiling

Kesler, V., & Hofmann, S. (2002). Interdiffusion at Ge/Si interfaces studied with AES depth profiling. Journal of Surface Analysis, 9, 428-431.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3356-E Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3357-C
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Kesler, V., Autor
Hofmann, S.1, Autor           
Affiliations:
1Dept. Phase Transformations; Thermodynamics and Kinetics, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497644              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Mittemeijer;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n):
 Datum: 2002
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 34907
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Surface Analysis
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 9 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 428 - 431 Identifikator: -