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  Application of the full-potential linear augmented-plane-wave method to the study of electronic properties in semiconductors with d valence electrons

Zaoui, A., & Hassan, F. E. (2002). Application of the full-potential linear augmented-plane-wave method to the study of electronic properties in semiconductors with d valence electrons. Philosophical Magazine B-Physics of Condensed Matter Statistical Mechanics Electronic Optical and Magnetic Properties, 82(7), 791-800.

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基本情報

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3110-B 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3111-9
資料種別: 学術論文
その他のタイトル : Philos. Mag. B-Phys. Condens. Matter Stat. Mech. Electron. Opt. Magn. Prop.

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作成者

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 作成者:
Zaoui, A.1, 著者           
Hassan, F. E., 著者
所属:
1Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657              

内容説明

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キーワード: MPI für Metallforschung; Abt. Rühle;
 要旨: -

資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 2002-05-10
 出版の状態: 出版
 ページ: -
 出版情報: -
 目次: -
 査読: 査読あり
 識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 6861
ISI: 000175210700004
 学位: -

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出版物 1

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出版物名: Philosophical Magazine B-Physics of Condensed Matter Statistical Mechanics Electronic Optical and Magnetic Properties
  出版物の別名 : Philos. Mag. B-Phys. Condens. Matter Stat. Mech. Electron. Opt. Magn. Prop.
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: -
ページ: - 巻号: 82 (7) 通巻号: - 開始・終了ページ: 791 - 800 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 0141-8637