Quantitative AES depth profiling of a Ge/Si multilayer structure

Hofmann, S.; Kesler, V.

Quantitative AES depth profiling of a Ge/Si multilayer structure

Hofmann, S., & Kesler, V. (2002). Quantitative AES depth profiling of a Ge/Si multilayer structure. Surface and Interface Analysis, 33(6), 461-471.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-30E7-F 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-30E8-D

資料種別: 学術論文

その他のタイトル : Surf. Interface Anal.

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Hofmann, S.¹, 著者
Kesler, V.², 著者

所属:
1Dept. Phase Transformations; Thermodynamics and Kinetics, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497644
2Russian Acad Sci, Inst Semicond Phys, Novosibirsk 630090, Russia, ou_persistent22

内容説明

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キーワード: MPI für Metallforschung; Abt. Mittemeijer; depth profiling; Ge/Si interface; multilayer; MRI model; sputtering

要旨: -

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言語: eng - English

日付: 出版: 2002-06

出版の状態: 出版

ページ: -

出版情報: -

目次: -

査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 6791
ISI: 000176481600001

学位: -

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出版物名: Surface and Interface Analysis

出版物の別名 : Surf. Interface Anal.

種別: 学術雑誌

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出版社, 出版地: -

ページ: - 巻号: 33 (6) 通巻号: - 開始・終了ページ: 461 - 471 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 0142-2421

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