Growth and microstructural characterization of GaN films grown by laser induced 
reactive epitaxy

Zhou, H.; Rupp, B.; Phillipp, F.; Henn, B.; Gross, M.; Rühm, A.; Schröder, H.

Growth and microstructural characterization of GaN films grown by laser induced reactive epitaxy

Zhou, H., Rupp, B., Phillipp, F., Henn, B., Gross, M., Rühm, A., & Schröder, H. (2003). Growth and microstructural characterization of GaN films grown by laser induced reactive epitaxy. Journal of Applied Physics, 93, 1933-1940.

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資料種別: 学術論文

その他のタイトル : J. Appl. Phys.

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Zhou, H.¹, 著者
Rupp, B.², 著者
Phillipp, F.³, 著者
Henn, B.², 著者
Gross, M.², 著者
Rühm, A.⁴, 著者
Schröder, H.⁴, 著者

所属:
1Max Planck Society, ou_persistent13
2DLR, Institut für Technische Physik, Stuttgart, Germany, ou_persistent22
3Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, DE, ou_1497657
4Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497645

内容説明

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キーワード: MPI für Metallforschung; Abt. Rühle; ZWE Hochspannungs-Mikroskopie;

要旨: -

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言語: eng - English

日付: 出版: 2003

出版の状態: 出版

ページ: -

出版情報: -

目次: -

査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 49869

学位: -

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出版物 1

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出版物名: Journal of Applied Physics

出版物の別名 : J. Appl. Phys.

種別: 学術雑誌

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出版社, 出版地: -

ページ: - 巻号: 93 通巻号: - 開始・終了ページ: 1933 - 1940 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: -

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