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  Vacancies in GaN bulk and nanowires: effect of self-interaction corrections

Carter, D. J., Fuchs, M., & Stampfl, C. (2012). Vacancies in GaN bulk and nanowires: effect of self-interaction corrections. Journal of Physics: Condensed Matter, 24(25):. doi:10.1088/0953-8984/24/25/255801.

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基本情報

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資料種別: 学術論文

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作成者

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 作成者:
Carter, Damien J1, 2, 著者
Fuchs, Martin3, 著者           
Stampfl, Catherine4, 著者
所属:
1Nanochemistry Research Institute, Curtin University,, GPO Box U1987, Perth, WA 6845, Australia, ou_persistent22              
2iVEC, 21 Dick Perry Avenue, Kensington, WA 6151, Australia, ou_persistent22              
3Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              
4School of Physics, The University of Sydney, Sydney, NSW 2006, Australia, ou_persistent22              

内容説明

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資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 2012-05-28
 出版の状態: 出版
 ページ: -
 出版情報: -
 目次: -
 査読: 査読あり
 識別子(DOI, ISBNなど): DOI: 10.1088/0953-8984/24/25/255801
 学位: -

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出版物 1

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出版物名: Journal of Physics: Condensed Matter
種別: 会議論文集
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: -
ページ: - 巻号: 24 (25) 通巻号: 255801 開始・終了ページ: - 識別子(ISBN, ISSN, DOIなど): -